FF06MR12A04MA2AKSA1

Infineon Technologies
726-FF06MR12A04MA2AK
FF06MR12A04MA2AKSA1

Fab. :

Description :
Modules à semi-conducteurs discrets HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

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Infineon
Catégorie du produit: Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:  
Modules
1 N-Channel
SiC
5.15 V
- 5 V, + 20 V
Press Fit
HybridPACK
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 53 ns
Id - Courant continu de fuite: 190 A
Type de produit: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source: 14.5 mOhms
Temps de montée: 25 ns
Nombre de pièces de l'usine: 120
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Nom commercial: CoolSiC
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 228 ns
Délai d'activation standard: 32 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 4.55 V
Raccourcis pour l'article N°: FF06MR12A04MA2 SP005558866
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TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Modules HybridPACK™ DSC S avec MOSFET SiC et NTC

Les modules HybridPACK ™ DSC S avec MOSFET SiC et NTC d'Infineon Technologies sont des modules d'alimentation haute performance conçus pour les applications automobiles exigeantes, en particulier dans les véhicules électriques et hybrides (xEV). Ce module demi-pont compact intègre des MOSFET en carbure de silicium (SiC) et une thermistance NTC permettant une efficacité et une performance thermique supérieures. Avec une tension de blocage de 1 200 V et un courant nominal de 190 A, les modules prennent en charge une commutation à grande vitesse avec de faibles pertes de conduction et de commutation, grâce aux avantages inhérents à la technologie SiC.