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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 2.94 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

512-FDB0250N807L

N° de fab. :

FDB0250N807L

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Fiche technique:

FDB0250N807L Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	240 A
Rds On - Résistance drain-source:	6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	143 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	39 ns
Transconductance directe - min.:	113 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	64 ns
Série:	FDB0250N807L
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	79 ns
Délai d'activation standard:	45 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

FDB0250N807L Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FDB0250N807L N-Channel MOSFET

onsemi FDB0250N807L N-Channel MOSFET uses the advanced PowerTrench^® process to minimize the on-state resistance. This process maintains superior ruggedness and switching performance for industrial applications. Features include fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability. The FDB0250N807L MOSFET is used in the industrial motor drives, power supplies, battery-operated tools, load switches, UPS, and energy inverters.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

MOSFET N voies double NVMFD5877NL

Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

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FDB0250N807L

Fab. : onsemi

Description : MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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Documents environnementaux

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FDB0250N807L N-Channel MOSFET

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

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