MOSFET de puissance NVTFS6H860NL monocanal N

Le MOSFET de puissance monocanal N NVTFS6H860NL allie compacité et efficacité et des performances thermiques élevées. Ce MOSFET dispose d'une faible résistance drain-source (RDS(on)) pour réduire au minimum les pertes de conduction et d'une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Le MOSFET NVTFS6H860NL est certifié AEC-Q101 et compatible PHPP . Ce MOSFET onsemi est présenté dans un boîtier 3,3 mm x 3,3 mm . Les applications typiques comprennent la protection d'inversion de batterie, les commutateurs d'alimentation (pilote côté haut, pilote côté bas et ponts en H) et les alimentations de commutation.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 15.413En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 2.893En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel