Cartes d’évaluation pour étage de puissance HEMT 650 V GaN

Les cartes d’évaluation d’étage de puissance GaN HEMT 650 V de ROHM Semiconductor sont destinées à l’évaluation des circuits intégrés d’étage de puissance GaN HEMT 650 V. La carte BM3G007MUV-EVK-003 de ROHM Semiconductor est constituée du BM3G007MUV (transistor GaN FET 650 V, 70 mΩ, avec pilote et circuit de protection intégrés) ainsi que d'une carte sur laquelle sont montés les composants périphériques. La carte BM3G015MUV-EVK-003 est constituée du BM3G015MUV (transistor GaN FET 650 V, 150 mΩ, avec pilote et circuit de protection intégrés) ainsi que d'une carte sur laquelle sont montés les composants périphériques. La carte de référence BM3G007MUV-EVK-002 fournit une tension de sortie de 400 V pour une tension d’entrée comprise entre 90 Vca et 264 Vca.