Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET features low on-resistance and low 0.6mm (maximum) height. This power MOSFET is available in a single-configuration Micro Foot® package. Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include load switches with low voltage drop, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.

AUCUN RÉSULTAT TROUVÉ.
Essayez de modifier votre terme de recherche ci-dessous, ou consultez notre Centre d'assistance.
Suggestions de recherche
  • Contrôler l'orthographe de la référence de la pièce ou des mots clés
  • Utilisez moins de mots clés ou des mots clés différents
  • Rechercher une seule référence de pièce à la fois
  • Appliquer 1 filtre à la fois
Produits et fabricants
D'autres questions ?