Modules d'alimentation IGBT4 haut débit

Les modules d'alimentation IGBT4 haut débit de Microchip Technology présentent une faible chute de tension, un faible courant de fuite et de faibles pertes de commutation. Ces modules fonctionnent à une tension collecteur-émetteur (VCES) de 1 200 V et offrent une très faible inductance parasite, un émetteur/source Kelvin pour un pilotage facile et une plage de température étendue. Les avantages des modules IGBT4 sont des convertisseurs à haut rendement  , offrent des performances exceptionnelles en fonctionnement à haute fréquence, un profil mince et une faible résistance thermique de jonction à dissipateur thermique. Ces modules sont utilisés dans des applications telles que les systèmes d'alimentation haute fiabilité, les commutateurs CA, les convertisseurs CA/CC et CC/CA à haut rendement et la commande de moteur.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max.
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 12En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 7En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 6En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
309/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C