300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
Fiche technique
250En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 24 A 110 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT Tube

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
Fiche technique
475En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 41 A 166 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
Fiche technique
5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 41 A 166 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT Tube