Transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35S004N

Le transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35S004N de NXP Semiconductors est conçu pour les applications de station de base cellulaire nécessitant une capacité de bande passante instantanée très large. Ces applications inclut celles couvrant la plage de fréquence de 3 300 à 4 300 MHz. Le transistor est logé dans un boîtier HLSON6 à profil mince endurci thermiquement.