T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

Résultats: 5
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Id - Courant continu de fuite
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Fiche technique
129En stock
Min. : 1
Mult. : 1

NI-200
Qorvo FET GaN DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Fiche technique
375En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo FET GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Fiche technique
53En stock
Min. : 1
Mult. : 1

NI-200
Qorvo FET GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1

NI-200
Qorvo FET GaN DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 100
Mult. : 100