Étage de puissance GaN LMG341xR050

L'étage de puissance GaN LMG341xR050 de Texas Instruments avec pilote et protection intégrés permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité dans les systèmes d'électronique de puissance. Les avantages inhérents du LMG341x’s par rapport aux MOSFET en silicium comprennent une capacité d'entrée et de sortie ultra-faible, une récupération inverse nulle pour réduire les pertes de commutation jusqu'à 80 %, et une faible sonnerie de nœud de commutateur pour réduire les EMI. Ces avantages permettent de mettre en place des topologies denses et efficaces comme le PFC à pôle totem.