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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Fiche technique
846En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
439En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Fiche technique
449En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Fiche technique
451En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Fiche technique
399En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
445En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube