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NTBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D5N10MCTXG
Price: 6.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBLS1D5N10MCTXG

N° de fab. :

NTBLS1D5N10MCTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Fiche technique:

NTBLS1D5N10MCTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,47 €	6,47 €
	4,88 €	48,80 €
	3,81 €	381,00 €
	3,40 €	3.400,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	3,39 €	6.780,00 €
4.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	312 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	131 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	322 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	90 ns
Transconductance directe - min.:	230 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	71 ns
Série:	NTBLS1D5N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	83 ns
Délai d'activation standard:	39 ns

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Fiche technique

NTBLS1D5N10MCTXG Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET monocanal N NTBLS1D5N10MC

Le MOSFET monocanal N NTBLS1D5N10MC d'Onsemi dispose d’une faible R_{DS (on)}, assurant une gestion efficace de l’alimentation. Le NTBLS1D5N10MC d'Onsemi dispose d’une Q_G et d’une capacité faibles pour améliorer les performances en minimisant les temps de charge/décharge. Ce MOSFET réduit considérablement le bruit de commutation et les interférences électromagnétiques (EMI), contribuant à un environnement de signal plus propre.

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.