MOSFET SiC discrets E4MS 1 200 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) E4MS 1 200 V de Wolfspeed offrent des performances inégalées dans les applications automobiles embarquées. La famille E4MS utilise une diode à corps souple et rapide qui permet une commutation rapide avec dépassement et sonnerie minimaux, élargissant ainsi l'espace de conception utilisable pour les ingénieurs afin d'optimiser les performances dans l'application. La famille E4MS offre des pertes Eon, ERR et Eoff améliorées par rapport à la famille de dispositifs E3M, tout en maintenant un faible coefficient de température RDS(on). Cette approche équilibrée offre des performances et une efficacité maximales pour une large gamme de topologies embarquées.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Fiche technique
45021/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101