Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SIJA22DP-T1-GE3

Name: Vishay SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJA22DP-T1-GE3
Price: 0.49 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIJA22DP-T1-GE3

N° de fab. :

SIJA22DP-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 64A

Fiche technique:

SIJA22DP-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Vishay / Siliconix SIJA22DP-T1-GE3

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 6000 Multiples : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,498 €	2.988,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	201 A
Rds On - Résistance drain-source:	740 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	83 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	48 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Marque:	Vishay / Siliconix
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	155 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	39 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	506,600 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SIJA22DP-T1-GE3 Fiche technique

PCN

Technical Resources

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une R_DS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Q_dg/Q_gs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
En savoir plus

MOSFET 25 V à canal N SiJA22DP

Le MOSFET 25 V à canal N SiJA22DP Vishay/Siliconix est fourni en boîtier PowerPAK SO-8L avec une conception à configuration unique et une TENSION drain-source de 25 V_DS. Ce module dispose d'une PUISSANCE TrenchFET® Gen IV, réglée pour le FOM R_DS à Q_oss le plus faible et est testé à 100% R_g et UIS. Les applications pour MOSFET 25 V à canal N SiJA22DP Vishay sont des redresseurs synchrones, CC-CC à haute densité de puissance, des commutateurs de batterie et de charge et des commutateurs échangeables à chaud.