Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

Le transistor de puissance PNP 1,5 A,160 V 2SAR579D3 de ROHM Semiconductor présente une faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence. C'est un produit extrêmement fiable pour les applications automobiles et qui est livré dans un boîtier TO-252 (DPAK). Le 2SAR579D3 de ROHM Semiconductor est classé pour une tension collecteur-base (VCBO) et une tension collecteur-émetteur (VCEO) de -160 V et a un courant collecteur nominal (IC) de -1,5 A.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor Transistors bipolaires - BJT 2SAR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
Fiche technique
2.113En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 160 V 160 V 10 V 400 mV 10 W 67 MHz + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistors bipolaires - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Fiche technique
2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 160 V 160 V 10 V 400 mV 10 W 67 MHz + 150 C Reel, Cut Tape