Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

Les transistors de puissance CoolGaN ™ Gen 2 650 V Infineon Technologies intègre une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) hautement efficace pour la conversion d'énergie sur une plage de tension jusqu'à 650 V. Avec la technologie GaN d'Infineon, le concept d'e‑mode atteint la maturité avec des volumes élevés de production de bout en bout. Cette qualité pionnière garantit les normes les plus élevées et offre les performances les plus fiables. Les transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V en mode d'amélioration améliorent l'efficacité du système et la densité de puissance avec une commutation ultra-rapide.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
4.684En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
4.892En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
4.928En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
302En stock
1.80019/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
1.465En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
1.242En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
1.674En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
415En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
761En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
1.388En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
730En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
3.635Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement