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NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 4.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMFS7D5N15MC

N° de fab. :

NTMFS7D5N15MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

Fiche technique:

NTMFS7D5N15MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	95.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	166.7 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	91 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	NTMFS7D5N15MC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	27 ns

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Fiche technique

NTMFS7D5N15MC Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® à grille blindée

Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des MOSFET à canal N qui minimisent la résistance à l'état passant et maintiennent des performances de commutation supérieures avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché. Ces MOSFET ont un facteur Q_rr inférieur à celui d'autres MOSFET. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi réduisent le bruit de commutation/lebrouillage électromagnétique (EMI). Ces MOSFET se caractérisent par une faible R_DS(on) pour limiter les pertes en conduction et pour de faibles Q_G etcapacité, permettant de limiter les pertes de pilotes. Les MOSFET PowerTrench à grille blindée se présentent sous la forme d'un petit boîtier PQFN8 de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone (SR), les alimentations électriques CA-CC et CC-CC, les adaptateurs AC-DC (USB Power Delivery) SR, et les commutateurs de charge.

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.

MOSFET PowerTrench® à grille blindée NTMFS7D5N15MC

Le MOSFET PowerTrench® à grille blindée NTMFS7D5N15MC à canal N d'Onsemi est produit à l'aide d'un procédé PowerTrench avancé qui intègre la technologie à grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures avec une diode à corps souple de premier ordre. Le NTMFS7D5N15MC d'Onsemi réduit le bruit de commutation, les EMI, la capacité (pour minimiser les pertes de pilote) et R_DS(on) (pour minimiser les pertes de conduction).