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DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-DI006H03SQ

N° de fab. :

DI006H03SQ

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Fiche technique:

DI006H03SQ Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,03 €	2,03 €
	1,37 €	13,70 €
	0,929 €	92,90 €
	0,777 €	388,50 €
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	0,64 €	2.560,00 €
	0,62 €	4.960,00 €
24.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A, 4.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V, 2 V
Qg - Charge de grille:	11.7 nC, 11.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Quad
Temps de descente:	8.7 ns, 13.5 ns
Transconductance directe - min.:	4 S, 3.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns, 4.9 ns
Série:	DI0XX
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	17.5 ns, 28.2 ns
Délai d'activation standard:	11.2 ns, 7.5 ns

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Fiche technique

DI006H03SQ Fiche technique (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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