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NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NCV8406DD1CR2G

N° de fab. :

NCV8406DD1CR2G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Fiche technique:

NCV8406DD1CR2G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	14 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	692 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	486 ns
Série:	NCV8406DD1CR2G
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2-Channel
Délai de désactivation type:	1600 ns
Délai d'activation standard:	127 ns

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Fiche technique

NCV8406DD1CR2G Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: République tchèque

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pilote côté bas auto-protégé double NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

En stock: 7.345

Stock:: 7.345 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,09 €	2,09 €
	1,32 €	13,20 €
	0,894 €	89,40 €
	0,726 €	363,00 €
	0,65 €	650,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,608 €	1.520,00 €
	0,578 €	2.890,00 €

NCV8406DD1CR2G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

Pilote côté bas auto-protégé double NCV8406DD

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En stock: 7.345

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onsemi

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MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

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