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AFGHL75T65SQDC

Name: onsemi AFGHL75T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL75T65SQDC
Price: 9.76 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-AFGHL75T65SQDC

N° de fab. :

AFGHL75T65SQDC

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V

Fiche technique:

AFGHL75T65SQDC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,76 €	9,76 €
	5,83 €	58,30 €
	4,89 €	489,00 €
	4,86 €	2.187,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	AFGHL75T65SQDC
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	EliteSiC

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Fiche technique

AFGHL75T65SQDC Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et en tranchée AFGHL75T65SQ

La tranchée diaphragme de champ onsemi AFGHL75T5SQD à IGBT utilise la 4e génération de technologie d'IGBT. Ce dispositif est qualifié AEC-Q101 et donne des performances optimales pour des topologies matérielles et logicielles d'applications automobiles. La tranchée diaphragme de champ onsemi AFGHL75T5SQD à IGBT présente également une capacité de courant élevé, une commutation rapide et une distribution resserrée de paramètres.