FET GaN LMG3100R0x avec pilotes intégrés

Les FET GaN (nitrure de gallium) LMG3100R0x de Texas Instruments avec pilotes intégrés sont des FET GaN de 1,7 mΩ et des pilotes avec un décalage de niveau côté haut et un bootstrap. Deux dispositifs LGM3100 peuvent être utilisés pour former un demi-pont sans nécessiter de décalage de niveau externe. Les composants FET GaN et le pilote disposent d'une protection intégrée contre les sous-tensions  (UVLO) et d'une capacité de serrage interne de la tension d'alimentation bootstrap pour éviter la suralimentation (>5,4 V). Le LMG3100R0x de Texas Instruments offre une consommation faible puissance et une interface utilisateur améliorée. Le LMG3100R017 est une solution idéale pour les applications haute fréquence et haute efficacité, y compris les convertisseurs Buck-Boost, les convertisseurs LLC, convertisseurs solaires, les télécommunications, lesentraînements à moteur, les outils électriques, et amplificateurs audio classe D.