MOSFET OptiMOS™-5 automobiles 60 V IAUZ4xN06S5

Les MOSFET OptiMOS™-5 automobiles 60 V IAUZ4xN06S5 d'Infineon Technologies disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant, d'une faible charge de grille et d'une faible capacité de grille, minimisant ainsi les pertes de conduction et de commutation. Ces MOSFET à mode d'amélioration et à canal  N disposent également d'une charge de récupération inverse extrêmement faible de 22,7 nC à 23,0 nC. 

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
Fiche technique
4.677En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
Fiche technique
13.003En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel