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MOSFET de puissance TrenchFET Gen V avec VDS
Les MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V Vishay/Siliconix augmentent le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible. Les MOSFET de puissance Gen V disposent d’options de tension de claquage drain-source de 80 V, 100 V et 150 V. Les MOSFET de puissance Gen V sont disponibles en boîtier unique PowerPAK® 1212-8SH ou PowerPAK SO-8.