U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF 18.737En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package 5.865En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2.507En stock
3.00010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package 67En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V 2.763En stock
9.00002/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V, 20 V 500 mA 120 mOhms, 210 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV, 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1 1.738En stock
24.00022/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA, 330 mA 460 mOhms, 950 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 1.23 nC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 6.687En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A, 1.5 A 247 mOhms, 430 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 300 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD 5.473En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V 5.315En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 145 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 5.340En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V 4.482En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package 225En stock
9.00020/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 3.026En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA 3.6 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package 2.711En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 213 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
3.00006/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A 87 mOhms, 87 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 7.5 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Si SMD/SMT ES-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.9 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape