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SGT3D5R10MEB

Name: STMicroelectronics SGT3D5R10MEB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT3D5R10MEB
Price: 3.2 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT3D5R10MEB

N° de fab. :

SGT3D5R10MEB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT3D5R10MEB Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	FCLGA-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	201 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V to + 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	6.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	255 W
Mode canal:	Enhancement
Technologie:	GaN
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.84 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6.08 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	5.12 ns
Délai d'activation standard:	2.56 ns
Poids de l''unité:	78 mg

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Fiche technique

SGT3D5R10MEB Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

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Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

Le transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB de STMicroelectronics est un transistor à mode d'enrichissement de 100 V et 201 A qui permet des pertes de conduction extrêmement faibles, des capacités de courant élevé et une exploitation à commutation ultra-rapide. Ce transistor opère avec une fréquence de commutation élevée, permettant des conceptions compactes à haute densité de puissance avec des composants passifs de petite taille et une gestion thermique simplifiée. Le transistor SGT3D5R10MEB fonctionne avec une résistance de drain R_DS(ON) standard de 2,7 mΩ et une plage de température de fonctionnement de jonction de -40 °C à +150 °C. Ce transistor PowerGaN est idéal pour les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur et les systèmes MPPT solaires.

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Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,20 €	3,20 €
	2,09 €	20,90 €
	1,52 €	152,00 €
	1,27 €	635,00 €
	1,18 €	1.180,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,10 €	3.300,00 €
	1,01 €	6.060,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

SGT3D5R10MEB

Fab. : STMicroelectronics

Description : FET GaN 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor Complétez votre conception

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