MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL022N120M3S

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL022N120M3S d'onsemi sont une famille de MOSFET SiC planaires 1 200 V M3S optimisés pour les applications à commutation rapide. Le NTHL022N120M3S d'onsemi dispose d'une technologie planaire qui fonctionne de manière fiable avec des pilotes de tension de grille négative et éteint les pics sur la grille. Les MOSFET ont des performances optimales lorsqu'ils sont pilotés avec un pilote de grille 18 V mais fonctionnent également bien avec un pilote de grille 15 V.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Fiche technique
323En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Fiche technique
682En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Fiche technique
590En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC