Résultats: 6
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT IGBT-MODULE
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Single 600 V 1.45 V 300 A 400 nA 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
Fiche technique
13En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Chopper IGBT module Module 1.7 kV 1.95 V 300 A 600 A AG-62MM - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 2.15 V 450 A 400 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200V 300A CHOPPER
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 480 A 400 nA 1.47 kW IS5a ( 62 mm )-5 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 300 A chopper IGBT module
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 1.7 kV 1.95 V 300 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A chopper IGBT module
Fiche technique
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray