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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3 75En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 836En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1.699En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3.012En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 95En stock
7.50002/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9 nC - 40 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4.741En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3.298En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 6.9 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 584En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 27En stock
1.20005/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube