MJE13007G

onsemi
863-MJE13007G
MJE13007G

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT 8A 400V 80W NPN

Modèle de ECAO:
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onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Single
8 A
400 V
700 V
9 V
1 V
80 W
14 MHz
- 65 C
+ 150 C
MJE13007
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu : 8 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 8
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
Malaisie
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor

onsemi FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor features high voltage capability and high switching speed. The FJP13007 is suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.

En stock: 5.223

Stock:
5.223 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
30 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 150
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,93 € 1,93 €
1,14 € 11,40 €
0,794 € 79,40 €