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NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 146.53 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-H008T120M3F2PTHG

N° de fab. :

NXH008T120M3F2PTHG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Fiche technique:

NXH008T120M3F2PTHG Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	PIM-29
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	129 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	371 W
Série:	NXH008T120M3F2PTHG
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	20.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Délai de désactivation type:	137 ns
Délai d'activation standard:	41.5 ns
Vf - Tension directe:	4.8 V

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Fiche technique

NXH008T120M3F2PTHG Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Module au carbure de silicium (SiC) NXH008T120M3F2PTHG

Le module au carbure de silicium (SIC) NXH008T120M3F2PTHG d'onsemi est un module de convertisseur à point neutre limité (TNPC) de type T basé sur les MOSFET SiC de raboteuse M3S 1200 V. Le NXH008T120M3F2PTHG est optimisé pour les applications à commutation rapide.La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec un pilote de tension de grille négatif et des pointes d’arrêt sur la grille. Ce module présente des performances optimales lorsqu’il est piloté avec un pilote de grille de 20 V, mais fonctionne également bien avec un pilote de grille de 18 V.

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