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CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 69.95 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

941-CGHV27030S

N° de fab. :

CGHV27030S

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Fiche technique:

CGHV27030S Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	69,95 €	69,95 €
	55,32 €	553,20 €
	48,35 €	4.835,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	48,35 €	12.087,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-12
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	3.6 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	12 W
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Gain:	21 dB
Tension drain-porte max.:	50 V
Fréquence de fonctionnement max.:	2.7 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	30 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V
Poids de l''unité:	282,130 mg

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Fiche technique

CGHV27030S Fiche technique (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.