MOSFET à petit signal HZG BSS84X

Le MOSFET à signal faible HZG BSS84X de ROHM Semiconductor est proposé dans un boîtier ultra-compact sans plomb avec une pastille de drain exposée pour une excellente conduction thermique. Le MOSFET à signal faible BSS84X HZG dispose d’une tension drain-source -60 V, d’un courant de drain continu ±230 mA et d’une dissipation de puissance 1,0 W. Le HZG BSS84X est conçu pour les circuits de commutation, les commutateurs de charge côté haut et les applications de pilote de relais.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 P-CH 60V .21A 6.303En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
15.94102/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 4.195En stock
6.00005/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape