Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
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Polarité du transistor

Toshiba Transistors bipolaires - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Fiche technique
7.862En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Transistors bipolaires - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
Fiche technique
300En stock
20016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP

Toshiba Transistors bipolaires - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE
Fiche technique
2.070En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans
Fiche technique
4.017En stock
10.250Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 PNP
Toshiba Transistors numériques TRANS-SS PNP SOT23 45V
Fiche technique
7.151En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SMD-3 PNP


Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
Fiche technique
127En stock
30016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
Fiche technique
957En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-251-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT TRANS-SS NPN SOT23 50V
Fiche technique
13.010En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V
Fiche technique
460En stock
1.600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT 150mA 50V
Fiche technique
6.948En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-353-5 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V
Fiche technique
162En stock
2.00017/04/2026 attendu
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Min. : 1
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Bobine: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT 150mA 50V
Fiche technique
6.721En stock
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Min. : 1
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Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-353-5 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT PNP 230V 15A
Fiche technique
1.656Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
Fiche technique
15.288Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V
Fiche technique
Commentaire Produit
5.84403/04/2026 attendu
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Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=2.5W F=1MHZ
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
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Min. : 1
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Bobine: 1.000

BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Fiche technique
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Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES6-6 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT ES6 PLN
Fiche technique
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Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES6-6 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT PNP Transistor -25V S-Mini -0.8A -0.4V
Fiche technique
Non stocké
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Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 V=45V F=200MHZ
Fiche technique
Non stocké
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP

Toshiba Transistors bipolaires - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Fiche technique
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Min. : 9.000
Mult. : 3.000
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Fiche technique
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Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN