MOSFET de puissance CE CoolMOS™

Les MOSFET de puissance CE CoolMOS™ Infineon sont une plate-forme technologique constituée de MOSFET de puissance haute tension conformément au principe de super-jonction (SJ) et conçue pour répondre intégralement aux besoins du consommateur. La gamme CE CoolMOS™ offre des dispositifs 500 V, 600 V et 650 V ciblés pour les chargeurs basse puissance de dispositifs mobiles et outils motorisés, les adaptateurs pour ordinateurs portables et les applications TV LED ou LCD ainsi que l'éclairage LED. Cette nouvelle série CoolMOS™ a été optimisée en termes de coût afin de répondre intégralement aux besoins du consommateur sans compromis sur la qualité et la fiabilité éprouvées de la gamme CoolMOS™ et tout en restant bon marché.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 10.1 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines
Min. : 240
Mult. : 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube