MOSFET de puissance CE CoolMOS™

Les MOSFET de puissance CE CoolMOS™ Infineon sont une plate-forme technologique constituée de MOSFET de puissance haute tension conformément au principe de super-jonction (SJ) et conçue pour répondre intégralement aux besoins du consommateur. La gamme CE CoolMOS™ offre des dispositifs 500 V, 600 V et 650 V ciblés pour les chargeurs basse puissance de dispositifs mobiles et outils motorisés, les adaptateurs pour ordinateurs portables et les applications TV LED ou LCD ainsi que l'éclairage LED. Cette nouvelle série CoolMOS™ a été optimisée en termes de coût afin de répondre intégralement aux besoins du consommateur sans compromis sur la qualité et la fiabilité éprouvées de la gamme CoolMOS™ et tout en restant bon marché.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
Fiche technique
375En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
6En stock
1.44026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
94En stock
24009/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
11En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
121En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3
Fiche technique
198En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
20705/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Fiche technique
88809/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 11 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 240
Mult. : 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube