MOSFET SiC NTH4L au carbure de silicium

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) Onsemi NTH4L sont une famille de MOSFET planaires SiC de 1 200 V M3S. Le MOSFET présentent de faibles charges de grille et de faibles pertes decommutation. Certains modèles de MOSFET offrent une vitesse élevée de commutation avec une faible cote de capacité. La série NTH4L est testée à 100 % en avalanche et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET NTH4L Sic d'onsemi sont idéales dans diverses applications d'alimentation, y compris les convertisseurs solaires, les stations de chargement de véhicules électriques (EV), les alimentations sans interruption (ASI), les systèmes de stockage de l'énergie stockage et les alimentations électriques à découpage (SMPS).

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial

onsemi SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Fiche technique
246En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Fiche technique
1.634En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC