Diodes à barrière de Schottky SiC

Les diodes à barrière de SCHOTTKY (SBD) SiC Toshiba  disposent de tensions nominales inverses élevées et d’un temps de récupération inverse court (trr). Toshiba fournit également des SBD 650 V avec une structure SCHOTTKY à barrière de jonction (JBS) pour un faible courant de fuite (IR) et une capacité de courant de choc élevée. Ces composants améliorent le rendement des alimentations en mode commuté.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Fiche technique
97En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Fiche technique
29En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC V=650 IF=8A
Fiche technique
7En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
Fiche technique
58En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
Fiche technique
68En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
Fiche technique
24En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
Fiche technique
67En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba Diodes Schottky SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Fiche technique
85En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
Fiche technique
11En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Fiche technique
7En stock
30007/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Fiche technique
115En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 6A RDL SIC SKY
Fiche technique
160En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Fiche technique
10010/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC V=650 IF=6A
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 8A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube