IGBT automobiles à arrêt de champ et en tranchée RGS

Les IGBT automobiles à arrêt de champ et en tranchée RGS de ROHM Semiconductor sont des IGBT automobiles homologués AEC-Q101 disponibles en variantes de 1 200 V et 650 V. Ces IGBT permettent de faible pertes de conduction, les meilleures de leur catégorie, ce qui réduit la taille et améliore le rendement des applications. Les IGBT RGS utilisent des technologies originales de grille en tranchée et à couche mince. Ces technologies aident à atteindre une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) avec des pertes de commutation réduites. Les IGBT RGS de ROHM Semiconductor permettent des économies d’énergie accrues dans diverses applications à haute tension et courant fort.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
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673En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
Fiche technique
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397En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
334En stock
Min. : 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
Fiche technique
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379En stock
Min. : 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
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432En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
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673En stock
Min. : 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 1200V 15A TRNCH
Fiche technique
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547En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N
Fiche technique
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281En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
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849En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
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244En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
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76En stock
45015/09/2026 attendu
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
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285En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
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112En stock
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube