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DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-DI105N04PQ-AQ

N° de fab. :

DI105N04PQ-AQ

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Fiche technique:

DI105N04PQ-AQ Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,44 €	1,44 €
	1,12 €	11,20 €
	0,673 €	67,30 €
	0,667 €	333,50 €
	0,646 €	646,00 €
	0,571 €	1.427,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,537 €	2.685,00 €
	0,463 €	4.630,00 €
	0,454 €	11.350,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	105 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.4 V
Qg - Charge de grille:	23 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.4 ns
Transconductance directe - min.:	116 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.3 ns
Série:	DI100N
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	N-CHANNEL

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Fiche technique

DI105N04PQ-AQ Fiche technique (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.