NVMFWS0D45N04XMT1G

onsemi
863-MFWS0D45N04XMT1G
NVMFWS0D45N04XMT1G

Fab. :

Description :
MOSFET 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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3,99 € 3,99 €
2,64 € 26,40 €
2,06 € 206,00 €
1,83 € 915,00 €
1,57 € 1.570,00 €
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1,48 € 2.220,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
469 A
450 uOhms
20 V
3.5 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
180 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 5 ns
Transconductance directe - min.: 278 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 17 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 46 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NVMFWS0D45N04XM

Le MOSFET NVMFWS0D45N04XM d'onsemi est un MOSFET à grille STD à canal N unique dans un boîtier SO8FL. Le dispositif présente une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 469 A et est conforme à la certification AECQ101. Le MOSFET NVMFWS0D45N04XM d'onsemi minimise les pertes de pilote et de conduction avec une faible capacité et RDS(on). Le NVMFWS0D45N04XM est disponible dans un boîtier de petite empreinte de 5 mm x 6 mm et est idéal pour les entraînements de moteurs, la protection des batteries et le redressement synchrone.