HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm PSAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement
Tension d'alimentation de fonctionnement
Courant d'alimentation de fonctionnement
Gain
Type
Style de montage
Package/Boîte
Technologie
P1dB - Point de compression
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Analog Devices Amplificateur RF GaN Driver Ampllifier
Fiche technique
103En stock
96Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 35 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 41.5 dBm 44 dBm - 40 C + 85 C HMC1114 Cut Tape
Analog Devices Amplificateur RF GaN Driver Ampllifier
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 11 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500
Bobine: 500

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 32 dB Driver Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C HMC1114 Reel