MRFX1K80 Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFX1K80H Reference Circuits allow rapid evaluation and prototyping of the NXP MRFX1K80 RF Power Transistor. The NXP MRFX1K50 RF Power LDMOS Transistor combines high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. The MRFX1K80 Transistor is designed to deliver 1800W at 65V CW (Continuous Wave) for applications from 1MHz to 470MHz and is capable of handling 65:1 voltage standing wave ratio (VSWR).

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Protocole - Sous-Ghz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz 1800W - 87.5-108MHz
Fiche technique
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Reference Design Boards 87.5 MHz to 108 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit
Fiche technique
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Reference Design Boards 87.5 MHz to 108 MHz MRFX1K80N Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz 3500W pulse - 2 up - 128MHz
Fiche technique
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Reference Design Boards 128 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz MRFX1K80H-175MHZ
Fiche technique
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Reference Design Boards 175 MHz MRFX1K80H 60 V Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz 1800W - 230MHz
Fiche technique
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Reference Design Boards 230 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz MRFX1K80H 64 MHz Reference Circuit
Fiche technique
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Reference Design Boards 64 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz MRFX1K80H-81MHZ
Fiche technique
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Reference Design Boards 81.36 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz MRFX1K80H 174-230 MHz Doherty Reference Circuit
Fiche technique
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Reference Design Boards 174 MHz to 230 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors Outils de développement sous-GHz MRFX1K80N-230MHZ
Fiche technique
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Reference Design Boards 230 MHz MRFX1K80N Sub GHz