IGBT TRENCHSTOP 600 V et 1 200 V

Les IGBT TRENCHSTOP™ 600 V et 1 200 V d'Infineon associent des fils de conception de cellule supérieure et d'arrêt de champ de grille pour améliorer les performances statiques et dynamiques. Une association d'IGBT avec une diode contrôlée par émetteur à recouvrement progressif minimise encore les pertes de mise en marche. Un compromis entre les pertes de commutation et de conduction permet un rendement élevé.
En savoir plus

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Fiche technique
1.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Fiche technique
48013/05/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube