Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Les transistors G5 CoolGaN™ de 650 V d’Infineon Technologies présentent une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie. La famille G5 de 650 V répond aux défis des applications industrielles, solaires, grand public et des centres de données. Les transistors offrent une efficacité et une densité de puissance améliorées du système avec une capacité de commutation ultra-rapide. La technologie CoolGaN fournit des solutions discrètes et intégrées conçues pour améliorer les performances globales du système. Les transistors G5 CoolGaN de 650 V d’Infineon Technologies permettent des fréquences de fonctionnement élevées et réduisent les valeurs EMI. Les transistors sont idéaux pour la distribution d’énergie, les alimentations électriques à découpage (SMPS), les télécommunications et d’autres applications industrielles.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies FET GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2.678En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 1.967En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.529En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.578En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.473En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 4.774En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.328En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.712En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.664En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.757En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.109En stock
2.00021/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 1.823En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 1.008En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 1.554En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN