FGY60T120SQDN 1200V 60A Ultra Field Stop IGBT

onsemi FGY60T120SQDN 1200V 60A Ultra Field Stop IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction. The FGY60T120SQDN provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The FGY60T120SQDN also features an integrated soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage for fast recovery.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi IGBTs 1200V, 60A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Fiche technique
70En stock
45017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 1.2 kV 2.25 V - 20 V, 20 V 105 A 635 W - 55 C + 175 C FGY60T120SWD Tube

onsemi IGBTs IGBT 1200V 60A UFS
Fiche technique
436En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 25 V, 25 V 120 A 517 W - 55 C + 175 C FGY60T120SQDN Tube