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MSC025SMA330B4N

Name: Microchip MSC025SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMA330B4N
Price: 168.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

579-MSC025SMA330B4N

N° de fab. :

MSC025SMA330B4N

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Cycle de vie:

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Fiche technique:

MSC025SMA330B4N Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Package/Boîte:	TO-247-4
Vds - Tension de rupture drain-source:	3.3 kV
Id - Courant continu de fuite:	104 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	Microchip Technology
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type:	Discrete mSiC MOSFET

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET mSiC™ à canal N MSC025SMA330B4N

Le MOSFET mSiC™ à canal N MSC025SMA330B4N de Microchip Technology est un MOSFET de puissance discret au carbure de silicium de 3 300 V de la famille MA. Le dispositif utilise un boîtier Notch TO-247-4 et prend en charge la commutation haute tension dans les conceptions d’électronique de puissance exigeantes. Le MSC025SMA330B4N est développé pour réduire les pertes de conduction et améliorer l'efficacité du système grâce à une faible résistance à l'état passant et à des performances de commutation fiables. Le MOSFET mSiC à canal N MSC025SMA330B4N de Microchip Technology offre également de faibles capacités, une faible charge de grille, un retard de commutation rapide et une exploitation stable à des températures de jonction élevées.

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MSC025SMA330B4N

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Description : SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4 Notch

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