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PSMN028-100HSX

Name: Nexperia PSMN028-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN028-100HSX
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

771-PSMN028-100HSX

N° de fab. :

PSMN028-100HSX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1205 100V 29A

Fiche technique:

PSMN028-100HSX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,12 €	2,12 €
	1,36 €	13,60 €
	1,17 €	58,50 €
	0,92 €	92,00 €
	0,912 €	228,00 €
	0,894 €	447,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,609 €	913,50 €
	0,47 €	1.410,00 €
	0,462 €	2.079,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-56D-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	27.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	64 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934665467115

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N PSMN028

Le MOSFET à canal N PSMN028 de Nexperia est un MOSFET à canal N de niveau standard double logé dans un boîtier LFPAK56D (Dual Power-SO8). Le MOSFET de Nexperia utilise la technologie TrenchMOS. Le composant dispose d'un IDM de courant de drain de crête élevé et d'une pince en cuivre avec des fils flexibles.