IGBT à tranchée FGHL75T65LQDT

Les IGBT à tranchée FGHL75T65LQDT d'onsemi offrent une capacité de courant élevé et fonctionnent à un maximum de 175 °C. Ces IGBT disposent d'une commutation fluide et optimisée et d'une distribution étroite des paramètres. Les IGBT à arrêt de champ FGHL75T65LQDT sont co-emballés avec une diode de récupération douce et rapide et sont conformes à la directive RoHS. Les applications comprennent les onduleurs solaires, les ASI, les ESS, les PFC et les convertisseurs.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Fiche technique
330En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Fiche technique
400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube