JFET à faible Ciss de 50 V à canal N IFN160

Les JFET à faible Ciss de 50 V à canal N IFN160d'InterFET  disposent d’une faible fuite de grille, d’une faible tension de coupure et d’une faible capacité d’entrée (Ciss). Ces JFET offrent une tolérance élevée aux rayonnements, des tests personnalisés et des options de mise en bac. Les JFET IFN160 sont disponibles en boîtiers CMS et à pastille nue. Ces JFET comprennent la modélisation SPICE de boîtier en périphérie (SPICE correspond à la norme de facto pour les performances du circuit de simulation). Les JFET IFN160 sont destinés aux conceptions à faible bruit sensibles au coût et sont idéaux pour les conceptions de micro audio et de préamplificateur. Ces JFET sont conformes aux directives RoHS, REACH et CMR. Les applications standard incluent les mélangeurs de signal, les commutateurs à faible fuite, les amplificateurs de casque, les filtres audio, les entraînements de haut-parleurs de préamplificateur, les équipements à ultrasons, les systèmes de radar et de communication et la détection de rayonnement.