MOSFET à canal P 150 V PowerTrench®

Les MOSFET à canal P 150 V PowerTrench® de Fairchild assurent une technologie de silicium à canal P moyenne tension et très faible RDS(on), optimisée pour faible Qg, ce qui est idéal pour les applications à commutation de charge. Ce MOSFET à canal P a été conçu à l'aide du processus avancé de semi-conducteur PowerTrench® de Fairchild, optimisé pour la résistance en état de fonctionnement faible et qui conserve des performances de commutation élevées.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET -150V P-Channel QFET
Fiche technique
12.191En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
Fiche technique
19.209Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SSOT-3 P-Channel 1 Channel 150 V 800 mA 1.2 Ohms - 25 V, 25 V 3.3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel